Описание
Страна производитель Китай
Номинальная мощность Pm (Вт) 200
Тип кристалла монокристалл
Номинальное напряжение Vm (В) 37,87
Номинальный ток Im (A) 5,28
Напряжение при разомкнутом контуре Vх.х. (В) 45,48
Ток короткого замыкания Iк.з. (A) 5,66
Коэффициент потери мощности от нагрева фотомодуля В / K -0.34% / ℃
Тип разъема МС4
рама анод.алюминий
Рабочие параметры окружающей среды ° C - 40 + 85
Габариты (mm) 1580х808х40
Вес кг 15,2
КПД фотомодулей% 16
Допустимое отклонение мощности фотомодуля ± 3%
