Описание
Страна производитель Китай
Номинальная мощность Pm (Вт) 100
Тип кристалла монокристалл
Номинальное напряжение Vm (В) 17,1
Номинальный ток Im (A) 5,85
Напряжение при разомкнутом контуре Vх.х. (В) 22,3
Ток короткого замыкания Iк.з. (A) 6,33
Коэффициент потери мощности от нагрева фотомодуля В / K -0.5% / ℃
Тип разъема МС4
рама анод.алюминий
Рабочие параметры окружающей среды ° C - 40 + 8
Габариты (mm) +1127 × 676 × 25
Вес кг 9,5
КПД фотомодулей% 11,9
Допустимое отклонение мощности фотомодуля ± 3%